958:$通富微电(SZ002156)$ 跟踪笔记。
根据券商研报的业绩预告说2023年Q4扣非净利润2亿+，同比增长+2亿多，环比增长100+%。
据说通富建成了国内顶级2.5-3D封装平台及超大尺寸FCBGA研发平台，并且完成高层数再布线技术开发，同时可以为客户提供晶圆级和基板级chiplet封测解决方案。——对于我这种门外汉来说真的是读一遍都费劲——不过按照2023四季度的表现推测2024年的净利润，券商预测的10亿似乎是可以实现的，而且这条赛道受益于AI的爆发似乎是CAGR50+%的增速。
看2023Q3数据——这货的毛利率净利率怎么这么低，看上去一点不像高科技行业（后来查了资料才知道，封测行业属于半导体行业里的末端，劳动密集型技术含量低，所以利润也低——所以在这个赛道上赚增长赚增速的钱而不是长期持有，脑子必须清楚）。有息负债也很高140+亿远超货币资金42亿。存货也高，还有商誉。老实说财务数据蛮差的，幸好现金流不错。你看他销售费用极低，产品几乎不需要销售。 固定资产较大算是重资产行业了。不过增长和增速是最关键的，所谓一俊遮百丑，只要高增长就能高估值。如果2024年高增长到净利润10亿，那么400亿估值就值这个价——如果老霉打压，股价下跌就抄底。
我让AI帮我查了一下创始人情况，应该说还是比较放心的，算是规规矩矩做企业的人。——关于通富微电石家父子的创业经历，可以依据现有信息概述其大致历程：
**石明达**，作为通富微电的创始人和前任董事长，其创业经历是通富微电故事的核心部分。以下是一些关键点：
1. **起始背景**：石明达在创立通富微电之前，很可能在半导体行业或相关领域积累了丰富的经验。他在创办通富微电时，面对的是一个特困企业的起点，这表明他可能是带着改造和振兴既有企业的决心开始创业的。
2. **公司初创**：通富微电起步于租借华达生产车间，逐步发展壮大。这表明石明达在创业初期面临资源有限的挑战，但他通过有效的管理和创新策略，使公司在困难条件下得以生存并逐步成长。
3. **规模化发展**：前十年，通富微电实现了规模化发展，这意味着石明达带领团队成功抓住了市场需求，扩大了生产规模，优化了运营效率，使得公司在行业内站稳脚跟。
4. **集团化与国际化**：随着公司的进一步壮大，石明达引领通富微电进入集团化、国际化的产业布局阶段，这包括可能的海外并购、国际合作、国际市场开拓等举措，以提升公司的全球竞争力。
5. **技术创新与领导力传承**：石明达在任期间推动了公司在封装技术上的创新，如建设国内顶级的2.5D/3D封装平台、FCBGA研发平台等，这体现了他对技术前沿的敏锐把握和持续投资研发的战略眼光。同时，他在晚年逐渐将公司领导权交予其子石磊，显示了对家族企业传承的规划和安排。
**石磊**，作为石明达的儿子和现任通富微电的实际掌舵者：
1. **教育背景与职业发展**：石磊拥有博士学历，高级工程师职称，这表明他在学术和专业技能方面接受了深入的训练，为接掌家族企业打下了坚实的知识基础。
2. **接班过程**：在石明达逐渐退居幕后后，石磊接过通富微电的实际管理职责，成为公司的实际掌舵者。这个过渡可能伴随着长期的培养计划和角色磨合，确保了企业领导层的平稳交接。
3. **继续创新与扩张**：石磊接手后，通富微电在先进封装技术上取得了一系列重要突破，如完成高层数再布线技术开发，提供晶圆级和基板级Chiplet封测解决方案等，显示出石磊在继承父亲事业的同时，也积极推动公司技术创新和产业升级。
4. **家族财富与社会责任**：石家父子共同积累的家族财富达到27亿，表明通富微电在他们的领导下取得了显著的商业成功。此外，他们参与的公开对话等活动，反映了家族对企业社会责任的重视，以及在企业文化和价值观传承方面的努力。
综上所述，石明达与石磊的创业经历展现了从白手起家、艰苦创业到成功转型、技术创新、全球布局，再到有序传承的企业家精神和家族企业成功之道。他们在不同阶段面临并克服了各种挑战，最终将通富微电打造成为中国集成电路封装领域的龙头企业。尽管具体细节无法在此概括，但这段历程无疑是充满智慧、毅力与创新精神的企业家传奇。
根据2023年报的用词我再次问了AI——三维堆叠封装技术（Three-Dimensional Stacking Packaging Technology）通常指的是3D封装技术，它是一种先进的芯片封装技术，通过垂直堆叠多个硅片或芯片层，形成三维结构，以实现更高的集成度、更短的互连距离、更低的延迟以及更优化的系统性能。这种技术允许不同的功能模块或存储单元在垂直方向上紧密排列，从而克服二维平面上因物理尺寸限制导致的性能瓶颈。
HBM（High Bandwidth Memory）高带宽内存正是应用了3D封装技术的一个典型实例。HBM采用硅穿孔（Through Silicon Via, TSV）技术，将多层DRAM芯片堆叠在一起，并通过垂直导电通孔直接进行高速数据传输，极大地提升了内存带宽和能效比，特别适用于对数据传输速率要求极高的应用场景，如高性能计算、图形处理、人工智能和数据中心等领域。
因此，可以说三维堆叠封装技术包含了作为其应用实例之一的HBM配套技术。HBM是3D封装技术在内存领域的具体应用形式，利用了3D封装的核心原理和技术手段（如TSV），实现了高密度、高速度的内存堆叠封装，以满足高端计算系统对内存性能的苛刻需求。
总结来说，三维堆叠封装技术即3D封测技术，而HBM技术正是这种先进封装技术在高带宽内存产品中的实际应用，二者之间存在着包含与被包含的关系。
然后根据年报研发投入内容第十项——新型三维高密度多叠层存储产品先进封装技术研发及产业化的描述，目前进度是研发进行中，目标是为多家单位实现量产技术服务——由此可知目前HBM封装还没量产，更别提HBM3e——不过如果相信他能搞定，就值得下注，毕竟钱途不错呀。当然可能需要耐心等待一下——年报里说预计2024年内存行业同比增长40+%。