通企查查查询发现乾晶半导体全名为杭州乾晶半导体有限公司, 其同时存在名为乾晶半导体(衢州)有限公司的子公司, 两家实体均涉及SiC业务。
杭州乾晶半导体有限公司成立于2020年7月31日, 建设地点为杭州市萧山区新街街道垦辉八路99号中泽智造产业园, 目前可查有一期在建工程项目。该项目于2023年9月备案和公示,拟投资10013万元建设总部和研发中心, 开展8“ 晶体生长技术研究等技术,从产品规划来看主要以研发生产晶锭为主。
乾晶半导体(衢州)有限公司成立于2022年9月23日, 建设地点位于浙江衢州智造新城东港片区 H-09-1#地块,根据目前查询显示其主要开展抛光片衬底的研发和中试工作。该项目在2023年3月备案和公示,整体投资为2.2亿元,规划产能为4万片。2023年10月,该项目厂房封顶。
公司主页2024年1月显示6英寸晶锭和衬底是乾晶的主要产品,目前杭州实验线已小批量供货;随着衢州生产基地项目一期到三期的分批建成,乾晶将逐步实现年产60万片碳化硅6-8寸衬底供给能力。
青禾晶元
青禾晶元全名为青禾晶元半导体,目前可查有两个工厂, 分别位于山西晋城和河北天津。
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司成立于2021年12月13日, 项目位于金匠工业园区创新创业产业园10号厂房。该公司在2022年2月, 备案《高质量铌酸锂、钽酸锂、碳化硅等复合衬底中试产线项目》。2023年4月,当地新闻《高质量铌酸锂、钽酸锂、碳化硅等复合衬底中试产线项目》已经基本完成并进入调试, 建设规模年产高质量铌酸锂复合衬底1000片、高质量钽酸锂复合衬底片500片、高质量碳化硅复合衬底片500片。(该项目尺寸不明)。 2023年9月, 备案《高质量铌酸锂、钽酸锂等复合衬底量产线项目》。建设内容不明, 或不涉及SiC生产。
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司成立于2022年1月28日, 项目位于天津滨海高新区海洋科技园金江路335号光电产业园内4号厂房-2、4号厂房-3号。 2022年7月, 备案《高质量钽酸锂铌酸锂复合衬底材料项目》。 2022年10月, 申报《高质量钽酸锂铌酸锂复合衬底材料项目》,拟投资20220万元建设产线, 产能为6/8寸钽酸锂衬底和铌酸锂衬底各1万片/年。 2023年7月, 备案《高精密低损伤半导体衬底研发与制造项目》。 2023年9月, 《高精密低损伤半导体衬底研发与制造项目》公示, 可以实现年产6寸规格陶瓷基板55000片, 8寸规格陶瓷基板5000片。
根据公司主页显示集团成立于2020年7月,聚焦于新型半导体材料的研发生产制造,公司的核心团队由教授级专家、海外高层次人才、知名教授及市场战略专家组成。青禾晶元集团是领先的晶圆异质集成技术与方案的提供商,专注于面向第三代半导体、三维集成、先进封装、功率模块集成等应用领域。
根据目前研究初步判断该公司在山西晋城存在一条Pilot, 尺寸不详, 而在天津SiC产线建设产能不明。
经过大致查询后我目前认为东尼电子的碳化硅衬底生产项目由湖州东尼半导体科技有限公司承担, 该实体成立于2022年3月24日, 工厂位于浙江省湖州市吴兴区织里镇利济东路588号,该工厂第一期SiC建设项目在2022年7月备案,其后在2022年12月竣工并在2023年发布验收报告,实际产能低于原始规划。在2024年3月,开始谋划进行进一步扩建,拟生产N型SiC衬底并将部分设备从东尼二期厂区搬迁至龙鹰厂区。
根据目前研究显示该工厂包含4"和6" SiC衬底产能。